5G電源已經(jīng)是作為大功率電源在5G領域中使用，而在大功率輸出電源設計中必然要求電源的轉換效率更高，以解決散熱問題。那怎么才能通過MOS管才提升5G電源的轉化效率呢？

此時選擇一款優(yōu)質的國產(chǎn)MOS管用于產(chǎn)品就是非常重要的問題。目前在技術方面已知采用SGT的工藝可獲得出色的RDSON導通內阻和優(yōu)秀的品質因子FOM(RDSON*Qg)，可實現(xiàn)快速硬開關和有效提高了轉換效率。
那么市面上會有STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G這四款產(chǎn)品經(jīng)常用于5G電源上面，但如果需要推薦國產(chǎn)優(yōu)質MOS而言，我們更推薦：FHS170N1F4A型號產(chǎn)品來替換使用。
FHS170N1F4A型號的MOS管是由國內已經(jīng)專注研發(fā)19年的MOS管廠家生產(chǎn)，它是可以代換STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G等型號參數(shù)的場效應管。

5G通信的快速發(fā)展帶動的是電源系統(tǒng)的需求，因此選擇一款穩(wěn)定、優(yōu)質的MOS管來代換STI150N10F7、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G這類型的型號使用是很重要的，使用好就是提升5G電源產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

我們來看看這款優(yōu)質的FHS170N1F4A國產(chǎn)場效應管為什么說能比較好的代換STI150N10F7型號參數(shù)在5G電源中使用？

看看飛虹這款FHP170N1F4A的具體產(chǎn)品參數(shù)，具有172A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 3.6mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100%EAS測試，100%Rg測試，100%DVDS熱阻測試，優(yōu)秀的品質因子FOM(RDSON*Qg)，STI150N10F7替代型號一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù)：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

在國產(chǎn)化的場效應管代換使用過程中，飛虹國產(chǎn)型號：FHP170N1F4A型號參數(shù)來替代HYG045N10NS1B型號。它就是采用SGT工藝來獲得出色的RDSON導通內阻和優(yōu)秀的品質因子FOM(RDSON*Qg)，可實現(xiàn)快速硬開關和有效提高了轉換效率，并擁有優(yōu)異的抗短路脈沖電流性能。

TO-220產(chǎn)品廣泛應用于5G電源,12-24V車載逆變器,48V工頻逆變器，AC-DC開關電源，DC/DC轉換器，UPS，STI150N10F7替代型號戶外儲能電源，BLDC電機驅動(72V電動車控制器)等，TO-263產(chǎn)品適配電池管理。其它mos管品牌替代型號：042N10/045N10、HYG045N10NS1B、HYG042N10NS1B、IPB045N10N3G、STI150N10F7、SVG104R0NS、MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT。

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